化学气相沉积法制备六方氮化硼原子层薄膜一直是研究的热点和难点,薄膜结晶质量会直接影响到石墨烯晶体管中石墨烯电子迁移率的高低。为提高六方氮化硼原子层薄膜的结晶质量,采用低压化学气相沉积法,以硼烷氨作为前驱物,铜箔作为基底,研究了氢气流量和前驱物温度对六方氮化硼原子层薄膜生长的影响。研究结果发现,较低的氢气流量有助于薄膜的连续生长,而前驱物温度对薄膜生长影响较小。