为了建立忆阻器的电导模型,基于TiO2忆阻器的荷控数学模型分析了其无源和有源的磁控数学模型,并设计了实现其伏安特性的双口电路模型,对电路模型进行了理论分析。利用Multisim对磁控忆阻器的电路模型进行了仿真验证,不同参数条件下的仿真结果与磁控忆阻器模型的特性完全一致。